Даниэль Гилберт Нессим

Даниэль Гилберт Нессим (англ. Daniel Gilbert Nessim, ивр. דניאל נסים) — израильский химик, специалист в области синтеза одномерных и двумерных наноматериалов для электроники, механики и энергетики, профессор химии Бар-Иланского университета.

Даниэль Гилберт Нессим
Дата рождения:	31 января 1966
Место рождения:	Милан, Италия
В запросе есть пустое условие.
Научная сфера:

Биография

Родился 31 января 1966 года в Милане.

Получил две степени магистра электротехнических наук (магистра инженерии), первую в 1989 году в Политехническом университете Милана, а вторую в 1991 году в Центральной школе Парижа (École Centrale Paris).

Затем три года проработал в в своем Европейском центре исследований и разработок во Франции (European Research and Development center in France), где разработал и запатентовал инновационный электронный инфракрасный датчик для дверей лифта.

После 1994 года устроился в американскую консалтинговую фирму PRTM в качестве консультанта, помогая в разработке продуктов и разработке операционных стратегий для различных высокотехнологичных компаний Европы и США.

В 2004 году получил докторскую степень в Массачусетском технологическом институте в области материаловедения и инженерии.

Под руководством проф. Карла В. Томпсон занялся изучением синтеза углеродных нанотрубок. Позже состоял в течении года постдоком в совместном проекте Карла В. Томпсона (MIT) и профессора Дорон Аурбаха (Бар-Иланский университет).

С 2010 года — сотрудник химического факультета Бар-Иланского университета, где стал доцентом, заведующим лабораторией синтеза одномерных и двухмерных наноструктур.

Исследования учёного включают синтез и понимание сложных механизмов роста 1D и 2D наноструктур. В синтезе халькогенидов металлов ввёл новшества в синтезе объёмных двумерных кристаллов.

Среди его наград — двухлетняя стипендия Intel.

Труды

• Nessim, Gilbert D.; Acquaviva, Donatello; Seita, Matteo; O'Brien, Kevin P.; Thompson, Carl V. (2010). "The Critical Role of the Underlayer Material and Thickness in Growing Vertically Aligned Carbon Nanotubes and Nanofibers on Metallic Substrates by Chemical Vapor Deposition". Advanced Functional Materials. 20 (8): 1306–1312.
• Nessim, Gilbert D. (2010). "Properties, synthesis, and growth mechanisms of carbon nanotubes with special focus on thermal chemical vapor deposition". Nanoscale. 2 (8): 1306.
• Shawat, Efrat; Perelshtein, Ilana; Westover, Andrew; Pint, Cary L.; Nessim, Gilbert D. (2014). "Ultra high-yield one-step synthesis of conductive and superhydrophobic three-dimensional mats of carbon nanofibers via full catalysis of unconstrained thin films". J. Mater. Chem. A. 2 (36): 15118–15123.
• Somekh, Miriam; Shawat, Efrat; Nessim, Gilbert D. (2014). "Fully reproducible, low-temperature synthesis of high-quality, few-layer graphene on nickel via preheating of gas precursors using atmospheric pressure chemical vapor deposition". J. Mater. Chem. A. 2 (46): 19750–19758.
• Itzhak, Anat; Teblum, Eti; Girshevitz, Olga; Okashy, Sivan; Turkulets, Yury; Burlaka, Luba; Cohen-Taguri, Gili; Shawat Avraham, Efrat; Noked, Malachi; Shalish, Ilan; Nessim, Gilbert Daniel (2018). "Digenite (Cu9S5): Layered p-Type Semiconductor Grown by Reactive Annealing of Copper". Chemistry of Materials. 30 (7): 2379–2388.
• Kumar, Subodh; Aziz, S. K. Tarik; Kumar, Sushil; Riyajuddin, Sk; Yaniv, Gili; Meshi, Louisa; Nessim, Gilbert D.; Ghosh, Kaushik (2020). "Three-Dimensional Graphene-Decorated Copper-Phosphide (Cu3P@3DG) Heterostructure as an Effective Electrode for a Supercapacitor". Frontiers in Materials. 7.
• Konar, Rajashree; Rosy, S.; Perelshtein, I.; Teblum, E.; Telkhozhayeva, M.; Tkachev, M.; Richter, J.; Cattaruzza, E.; Pietropolli, A.C; Stoppa, P.; Noked, M.; Nessim, G.D. (2020). "Scalable Synthesis of Few-Layered 2D Tungsten Diselenide (2H-WSe2) Nanosheets Directly Grown on Tungsten (W) Foil Using Ambient-Pressure Chemical Vapor Deposition for Reversible Li-Ion Storage". ACS Omega. 5.